选择MOS管的时候需要注意的几个参数
1,VDSS(击穿电压):此电压要选择合适,一般是加入的电压值的峰值的两倍。
2,VGS(th)(开启电压):
3,RDS(on)(漏源电阻):这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大。而功耗一旦变大,就会加速温升。加速温升,就会需要用到散热装置,从而使得布板出现不必要的浪费。
4,ID(导通电流)

一款电调上的MOS管,驱动桥

>> SI4166 - NMOS管子
  VDS - 30V 
  VGS - 正负20V
  ID - 30.5A 
  PD - 6.5W
  开启电压最小值范围:1.2V-2.4V
 
>> SI4459 - PMOS管子
  VDS - -30V
  VGS - 正负20V
  ID - -29A 
  PD - 6.5W
  开启电压最小值范围:-1.2V-2.4V
 
pixhawk飞控上用的MOS管
>> SI4835DDY - PMOS
  VDS - -30V
  VGS - 正负25V
  ID - -13A
  PD - 5.6W
  开启电压最小值范围:-1.0v - -3.0V
 
>> NTHD4102PT1G - PMOS
  VDS - -20V
  VGS - 正负8V
  ID - - 10s维持4.1A,标准-2.9A
  PD - 1.1W
  开启电压最小值范围:-0.45v - -1.5V

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