Nand Flash支持按页写和随机写两种方式，在下面实现的是按页写。闪存在写数据时，只能写入1，不能写入0，所以写函数必须和擦除函数一起使用，并且擦除函数是按块擦除。
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*名称:write_page_flash
*参数:
* page 页号
* buf 写缓存，2048字节
*返回:
* state 成功:0
* 失败:1
*功能:按页写闪存
*********************************************************************/
int write_page_flash(unsigned long page, unsigned char *buf){
int i; //循环计数器
int state; //写入状态，0表示成功，1表示失败 //选中闪存芯片
NFCONT &= ~(1<<1); //设置Reg_nCE:0 //清除忙信号
NFSTAT |= (1<<2); //设置RnB_TransDetect:0 //发送写命令(0x80)
NFCMMD = 0x80; //发送列地址（页内偏移）
NFADDR = 0x00; //Col.Add1，按页写忽略页内偏移
NFADDR = 0x00; //Col.Add2 //发送行地址（页号）
NFADDR = (page>>0)&0xFF; //Row.Add1
NFADDR = (page>>8)&0xFF; //Row.Add2
NFADDR = (page>>16)&0xFF; //Row.Add3 //写入数据
for(i = 0; i < PAGE_SIZE; i++){
NFDATA = buf[i]; //注意，NFDATA寄存器数据类型要和buf匹配，一个写周期写入一个字节
} //发送写命令(0x10)
NFCMMD = 0x10; //等待忙信号
while( !(NFSTAT&(1<<2)) ); //当RnB_TransDetect等于1时，结束循环 //发送读状态命令(0x70)
NFCMMD = 0x70; //读取状态
state = NFDATA&0x00000001; //取出数据端口I/O的0位，否则返回随机值 //释放闪存芯片
NFCONT |= 1<<1; //设置Reg_nCE:1 return state;
} /********************************************************************
*名称:erase_block_flash
*参数:
* page 页号
*返回:
* state 成功:0
* 失败:1
*功能:按块擦除闪存。提供页的地址，擦除所在的块。
*********************************************************************/
int erase_block_flash(unsigned long page){
int state; //写入状态，0表示成功，1表示失败 //选中闪存芯片
NFCONT &= ~(1<<1); //设置Reg_nCE:0 //清除忙信号
NFSTAT |= (1<<2); //设置RnB_TransDetect:0 //发送擦除命令(0x60)
NFCMMD = 0x60; //发送行地址（页号）
NFADDR = (page>>0)&0xFF; //Row.Add1
NFADDR = (page>>8)&0xFF; //Row.Add2
NFADDR = (page>>16)&0xFF; //Row.Add3 //发送擦除命令(0xD0)
NFCMMD = 0xD0; //等待忙信号
while( !(NFSTAT&(1<<2)) ); //当RnB_TransDetect等于1时，结束循环 //发送读状态命令(0x70)
NFCMMD = 0x70; //读取状态
state = NFDATA&0x00000001; //取出数据端口I/O的0位，否则返回随机值 //释放闪存芯片
NFCONT |= 1<<1; //设置Reg_nCE:1 return state;
}