LDO是个很简单的器件，但是我跟客户沟通的过程中，发现客户工程师的技术水平参差不齐，有的工程师只是follow 别人以前的设计，任何原理和设计方法都不懂，希望大家看完这篇文章都能成为LDO 专家。
第一个问题：什么是LDO？
LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。我们常用的7805等等常常被称为LDO，其实7805这种芯片dropout电压大的不要不要的，以LM78L05为例，大电流的最小压降要在2V以上，比如一个应用需要6v转5v,LM78L05就不合适了。
第二个问题：LDO为什么能稳定？
LDO的原理框图如下，输出电压经过反馈电阻分压到FB引脚，当输出电压高于设定值时，内部回路会改变驱动电压，使得管子的导通压降增大，从而降低输出电压。当输出电压低于设定值时，内部回路会改变驱动电压，使得管子导通压降减小，从而提高输出电压。完美的闭环负反馈回路。
第三个问题：LDO有哪些重要参数？
1. PSRR(电源电压抑制比)，是指LDO输出对输入纹波噪声的抑制作用。这也是很多场合在DC/DC后级另加一颗LDO的原因（特别是后面接模拟传感器或者ADC/DAC时）。高PSRR的LDO对纹波的抑制效果还是很明显的。如TPS71701就是一款高PSRR的LDO.
那怎么判断LDO的PSRR参数是否足够呢，举个简单的例子，假设LDO前面的DC/DC的开关频率是100khz，100khz处的PSRR是50dB，前端DC/DC 纹波大小100mv，那LDO之后的纹波=100mv/10(50/20)=0.3mv。
2. Noise（噪声性能），不同于PSRR，噪声是指LDO自身产生的噪声信号，低噪声的LDO如LP5907等等可以很好的降低LDO产生的额外噪声。噪声一般计算出的值是有效值(rms)，也可以用peak to peak 来分析，那就需要再乘以一个系数(如乘以6)。
3. Low Dropout Voltage（低压降），前面提到了这个参数，设计电路比如需要6v转5v时，需要保持Low Dropout Voltage参数<1 v。不过现在的LDO一般压降都很低，像TPS7A71系列的LDO，Vdropout只有200mV。
4. Transient response(动态性能)，一些应用场合，负载变化剧烈，就需要增加输出电容的同时也尽量选用动态性能好的LDO芯片。比如LP5907就是一款动态性能良好的LDO。
5. Thermal（温度性能）.大家都知道LDO效率很低，那怎么去校验一个LDO是否合适呢？首先计算功耗Pd=（Vin-Vout）Iout ，其次计算温升，这里可以用热阻RθJA来计算，温升ΔT= Pd*RθJA ，最后计算芯片结温Tj= Tambient+ΔT<Tjmax(datasheet). 下图是各个封装的可耐受功耗的基本大概情况。
6. IQ（即静态电流）一般电池供电的场合对静态电流会有比较高的要求，一般LDO芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系，如低噪声，高电源电压抑制比，动态性能好的LDO静态电流都偏大一些。低IQ的LDO也比较多，像TPS780系列的LDO，IQ Shutdown 只有18nA.
总结
关于LDO 只要掌握以上技术要点就可以了，其实任何一个知识点都并不是像我们想象的那么简单，希望大家以后能把技术做深，不仅知其然，更能知其所以然，这样在今后器件选型的时候才能游刃有余。如果你觉得这篇文章对你有帮助记得分享给你的小伙伴。