背景
最近遇到有些带MegaSAS RAID卡的服务器,在业务高峰时突然IO负载飚升得很高,IO性能急剧下降,查了日志及各种设置最后才发现是RAID卡的Cache写策略由 WriteBack变成WriteThrough了。更深入的原因是BBU进入了Learn Cycle周期,自动把Cache策略改为WriteThrough.
WriteBack和WriteThrough
在开始之前,我需要提到两个词: WriteBack, WriteThrough
- WriteBack:进行写操作时,将数据写入RAID卡缓存,并直接返回,RAID卡控制器将在系统负载低或者Cache满了的情况下把数据写 入硬盘。该设置会大大提升RAID卡写性能,绝大多数的情况下会降低系统IO负载。 数据的可靠性由RAID卡的BBU(Battery Backup Unit)进行保证。
- WriteThrough: 数据写操作不使用缓存,数据直接写入磁盘。RAID卡写性能下降,在大多数情况下该设置会造成系统IO负载上升。
MegaSAS RAID卡的Cache策略
对于LSI的MegaSAS RAID卡, 默认的Cache策略是: WriteBack, ReadAheadNone, Direct, No Write Cache if Bad BBU
如何查看RAID卡Cache策略
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 | root@ hostname :~ # ./MegaCli -LDInfo -Lall -aALL Adapter 0 -- Virtual Drive Information: Virtual Drive: 0 (Target Id: 0) Name : RAID Level : Primary-1, Secondary-0, RAID Level Qualifier-0 Size : 557.861 GB Mirror Data : 557.861 GB State : Optimal Strip Size : 128 KB Number Of Drives : 2 Span Depth : 1 Default Cache Policy: WriteBack, ReadAheadNone, Direct, No Write Cache if Bad BBU Current Cache Policy: WriteBack, ReadAheadNone, Direct, No Write Cache if Bad BBU Default Access Policy: Read /Write Current Access Policy: Read /Write Disk Cache Policy : Disabled Encryption Type : None Is VD Cached: No Exit Code: 0x00 |
- Default Cache Policy: 默认的缓存策略,针对每个RAID可以有不同的设置.
- Current Cache Policy: 当前生效的缓存策略.
策略说明
- 第一段: WriteBack, WriteThrough
- 第二段: ReadAheadNone, ReadAdaptive, ReadAhead.
- ReadAheadNone: 不开启预读。这是默认的设置
- ReadAhead: 在读操作时,预先把后面顺序的数据加载入Cache,在顺序读取时,能提高性能,相反会降低随机读的性能。
- ReadAdaptive: 自适应预读,当Cache memory和IO空闲时,采取顺序预读,平衡了连续读性能及随机读的性能,需要消耗一定的计算能力。
- 第三段: Direct, Cached.
- Direct: Direct IO模式,读操作不缓存到cache memory中,数据将同时传输到cache中和应用,如果接下来要读取相同的数据块,则直接从Cache memory中获取. 这是默认的设置
- Cached: Cached IO模式,所有读操作都会缓存到cache memory中。
- 第四段: Write Cache OK if Bad BBU, No Write Cache if Bad BBU
- No Write Cache if Bad BBU: 如果BBU出问题,则关闭Write Cache。由WriteBack自动切换到WriteThrough模式。如果没有特殊要求,强烈建议采用该设置,以确保数据的安全。
- Write Cache OK if Bad BBU: 如果BBU出问题,依然启用Write Cache. 这是不推荐的设置,BBU出问题将无法保证断电情况下数据的正常,如果此时依然采用WriteBack模式,遇到断电将发生数据丢失。除非有UPS作额外 保证,不然不推荐采用这个设置。
策略自动切换的问题
由于MegaSAS RAID卡默认采用No Write Cache if Bad BBU的设置,将可能发生Write Cache策略变更的情况(由WriteBack变成WriteThrough),导致写性能下降,如果该自动变更发生在业务高峰且系统Io负载高的时 候,可能会引发不可预测的问题,如卡机。以下原因将造成Write Cache策略的变更.
- RAID卡进入BBU Learn Cycle: 详细介绍见下面
- 检测到某些电池故障,如电池容量过低等,一般是电池老化带来的影响,IBM建议一年更换一次RAID卡电池
- 没有安装电池, 部分服务器购买时不带电池,导致被自动设置为WriteThrough
在BBU出问题时,如何临时强制启用Write Cache?
1 2 3 4 | . /MegaCli -LDSetProp CachedBadBBU -Lall -aALL . /MegaCli -LDSetProp WB -Lall -aALL #以下命令可以把设置修改回去 . /MegaCli -LDSetProp NOCachedBadBBU -Lall -aALL |
BBU Learn Cycle
BBU由锂离子电池和电子控制电路组成。 锂离子电池的寿命取决于其老化程度,从出厂之后,无论它是否被充电及它的充放电次数多与少,锂离子电池的容量将慢慢的减少。这意味着一个老电池无法像新电 池那么持久。 也就决定了BBU的相对充电状态(Relative State of Charge)不会等于绝对充电状态(Absolute State of Charge)。
为了记录电池的放电曲线,以便控制器了解电池的状态,例如最大和最小电压等,同时为了延长电池的寿命,默认会
启用自动校准模式(AutoLearn Mode). 在learn cycle期间,
raid卡控制器不会启用BBU直到它完成校准。整个过程可能需要高达12小时。这个过程中,会禁用WriteBack模式,以保证数据完整性,同时会造
成性能的降低. 整个Learn Cycle分为三个步骤:
- 控制器把BBU电池充满电(该步骤可能是放电后充电或直接充电,如果电池刚好满电,则直接进入第二阶段)
- 开始校准, 对BBU电池执行放电
- 放电完成后,完成校准,并重新开始充电, 直接达到最大电量, 整个Learn Cycle才算完成
注意: 如果第二或第三阶段被中断,重新校准的任务会停止,而不会重新执行
IBM的服务器默认设置是30天执行一次Learn Cycle, 而DELL是90天。不推荐关闭Auto Learn模式,通过这个校准,能延长电池寿命,不作电池校准的Raid卡,电池寿命将从正常的2年降为8个月
查看当前的BBU Learn设置
1 2 3 4 5 6 7 | root@ hostname :~ # ./MegaCli -AdpBbuCmd -GetBbuProperties -aALL BBU Properties for Adapter: 0 Auto Learn Period: 2592000 Sec Next Learn time : 394618008 Sec Learn Delay Interval:0 Hours Auto-Learn Mode: Enabled |
- Auto Learn Period: 自动校准间隔, 单位秒,IBM的服务器默认设置是30天执行一次Learn Cycle, 而DELL是90天。 该设置无法修改。
- Next Learn time:
下一次自动校准的时间,从2000年1月1日算起的秒数,这个设置无法修改,根据上一次自动校准的完成时间加上自动校准间隔计算得来。该时间转化为实际时
间时,需要加上RAID卡时间的误差,部分RAID卡时间转成GMT时间后,依然是错误的。
实际时间计算方法,伪代码如下
1 2 | RealTime = Next Learn time + ( 系统时间的Unixtime - RAID卡时间的Unixtime ) date -d 'UTC 2000-01-01 + $RealTime secs' |
- Learn Delay Interval: 自动校准启动后的延迟时间,单位小时,最大设置为7天。该设置只针对下次Learn Cycle,下次Learn Cycle完成后,该值将自动归零。
- Auto-Learn Mode: 是否打开自动校准模式
查看当前BBU的状态
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- Charging Status: 当前电池处于什么状态,有Charging, Discharging, None等值,分别代表电池充电,放电,及没有充放电操作的状态
- Learn Cycle Requested: Learn Cycle请求,当为Yes时,并且下面的Learn Cycle
Active为No, 说明已经开始了Learn Cycle的第一阶段, 此时策略开始变为WriteThrough,
电池将经历一个放电后充电或者充电的过程 - Learn Cycle Active: 是否处于Learn Cycle的校准阶段,如果为Yes, 则进入了Learn Cycle的第二阶段,控制器开始校准电池.
- Battery Replacement required: 电池是否需要维修,如果为Yes, 请尽快更换电池
- Remaining Capacity Low: 剩余电容量低, 如果为Yes, 需要更换电池
如何强制启动Learn Cycle操作
强制执行自动校准的命令, 执行该命令后,会延迟几秒才会生效,策略会自动变为WriteThrough
1 | root@ hostname :~ # MegaCli -AdpBbuCmd -BbuLearn -aALL |
通过该命令可以粗略的调整自动校准的下次执行时间,但无法100%准确:
- 本次Learn Cycle的完成时间无法精确计算,这取决于电池的放电及充电速度.
- 下次Battery的relearn任务可能会因为某些原因而推迟执行,例如当时电池正在充电,整个Relearn操作将推迟到充电完后之后。
如何查看当前的Cache策略是否发生变动
对比Default Cache Policy和Current Cache Policy是否不同,不同则是策略发生变动
1 | root@ hostname :~ # MegaCli -LDInfo -Lall -aALL |
如何把Learn模式改为手动?
1 2 3 4 5 | echo 'autoLearnMode=1' > /tmp/megaraid .conf MegaCli -AdpBbuCmd -SetBbuProperties -f /tmp/megaraid .conf -aAll #1为Disable, 0为Enable, 从Disable切换到Enable时,Relearn操作会立刻执行 #确认是否生效 MegaCli -AdpBbuCmd -GetBbuProperties -aALL |
建议
推荐的Cache策略: 使用No Write Cache if Bad BBU,在BBU出问题的情况下,牺牲性能来确保数据的安全性。
WriteBack, ReadAheadNone, Direct, No Write Cache if Bad BBU
以下有几种可选的方法
- 在非业务高峰对BBU强制启动Learn Cycle,但下次自动的Learn Cycle会向后延迟5-6小时(视整个Learn Cycle所需时间而定)。每一次Learn Cycle执行完,下次Learn Cycle的执行时间会发生向后偏移的情况,推移时间由上一次整个Learn Cycle的耗时决定,一般下一次执行时间都会向后推移大约5小时(一次Learn Cycle的时间)。建议可以根据实际推迟效果定期在非业务高峰做一次手动Learn Cycle(一般是02:00~05:00)
- 切换为手动模式,由crontab或者其他手动定期触发Learn Cycle,采用该方式需要根据不同硬件来决定Learn Cycle的间隔,采取错误的间隔将损耗电池的寿命。IBM的30天, DELL的机器为90天。
- 检测下次Learn Cycle的时间,在即将进入Learn Cycle前,设置为Write Cached OK if Bad BBU, 使得Write Cache策略在Learn Cycle期间不发生变动,Learn Cycle过后,切换会原配置,这种方式在Learn Cycle期间(大约5小时左右)数据将不保险,如果遇到断电的情况,将发生数据丢失。
- 检测下次Learn Cycle的时间,提前1~2天,在非业务高峰期提前触发learn cycle. 这种方法效果最好,也最方便,需要专门的脚本进行下次Learn Cycle时间的计算
推荐做法: 在保留Auto Learn模式的同时,定期通过Crontab对Raid卡执行强制Relearn的操作,检测下次Learn Cycle的时间,提前1~2天,在非业务高峰期提前触发learn cycle(一般是02:00~05:00)。