日前中芯国际公布2018年度第四季度业绩，实现营收7.88亿美元，14nm工艺进入客户验证阶段，可望于今年6月份量产，且12nm工艺开发取得突破。
根据中芯国际披露的财报，2018年第四季度实现营业收入7.88亿美元，与2017年第四季度基本持平；实现毛利润1.34亿美元，同比下降9.7%；毛利率为17.0%，同比下降1.9%。纵观2018年全年，实现营收33.6亿美元，创历史新高，相比2017年的31亿美元同比增长8.3%，连续4年持续成长；中国客户收入占比达到59.1％，相比2017年为47.3%，创历史新高；实现利润1.34亿美元，毛利率为22.2%。
第四季度财报详解
中芯国际首席财务官兼执行董事兼战略规划执行副总裁高永岗表示，第四季度营环比下滑主要是由于第四季度晶圆出货量减少、产能利用率降低所致。
第四季度按应用划分的收入占比分别为：通信44.7%、消费电子32.1%、计算6.4%、汽车/工业8.0%、其他8.87%。其中来自通信、消费和计算部分的收入下滑，与市场汽车/工业和其他应用的收入均有所提升，反应了消费市场需求疲软的的现状。
按照工艺划分的收入占比分别为：150/180nm 38.7％、55/65nm 23.0％、40/45nm 20.3％、110/130nm 7.3％、28nm 5.4％、250/350nm 3.6％、90nm 1.7％。同时受市场竞争激烈所致，28nm占比有所下滑，但中芯国际逐步提高该节点良率并更新工艺，HKC持续上量，HKC+开发完成，未来在28nm中的占比持续增加，同时导入AP、RF、MCU、Memory等多种应用，可持续提升营收占比。
成熟工艺营收占比持稳，8英寸电源管理产品市场份额占据领先地位。
先进制程方面，14nm据透露或将于今年6月量产，目前第一代FinFET 14nm工艺进入客户验证阶段，产品可靠度与良率进一步提升，比原计划的今年下半年量产进度加快了半年以上，实现了先进技术路线图的重要跨越。同时，中芯国际首次透露12nm等更先进工艺的研发也在全面进行中。
按照区域划分的收入占比分别为：中国57.5%、北美31.7%、欧亚地区10.8%。中国地区客户的营收占比达到历史最高，在产业外部压力不断增大的背景下，可为本土客户提供更加稳定可靠的全面服务，同时收获持续且有爆发力的成长动能。
出货方面，第四季度出货晶圆121.77万片，同比增长8.3％，月产能折合200mm晶圆已达45.13万片，同比增长2.0％。
整体来看，中芯国际业绩受到库存修正和中美贸易摩擦导致产业信心不足的大环境因素影响，产能利用率也下降4.8%至89.9%，但基本在市场预期范围内。
纵观2018年全年，中芯国际实现营收33.6亿美元，创历史新高，较2017年的31亿美元同比增长8.3%，连续4年持续成长，中国客户收入占总收入的59.1％提升11.8%，创历史新高；实现利润1.34亿美元，毛利率为22.2%。2018年用于晶圆厂运营的资本支出为18亿美元，主要用于中芯北方、天津8英寸厂和中芯南方的建设，以及研发设备的购买。
充满不确定性和机遇的2019年
展望2019年，高永岗表示，由于传统淡季和宏观不确定性影响，预计今年第一季度营收为6.46~6.62亿美元，环比下降16-18%，但这将是全年的最低点。毛利率预计为20~22%。在此情形下，中芯国际仍将加大研发投入和资本支出，2019年晶圆厂运营的资本支出预算提升至22亿美元，主要用于中芯南方和FinFET研发线的建设。
中芯国际联合首席执行官兼执行董事赵海军指出，2019年是充满不确定性的一年，同时也是充满机遇的一年。稳中带进，积极开发客户，拓展成熟和特色工艺的产品组合和应用范围，发掘市场价值机会，为成长储备力量。由于客户努力消化库存，以及宏观因素影响下，今年第一季度将会是公司的最低谷，公司的目标是与整个代工行业的增长预期保持一致，同时，8英寸的产能拥有较高能见度，成熟工艺仍是公司的主要增长动力。
另外，中芯国际计划今年推出可移动（moveable）产品，包括电源管理、存储器、高压驱动器、CMOS图像传感器和指纹传感器等工艺平台，公司将对未来业绩增长持保守乐观态度。其中CMOS图像传感器市场保持增长，公司正在扩大客户范围，还将看到与图像处理器和背照式传感器相关的收入增长；电源管理是增长的另一个主要推力，这也是公司的主要收入来源之一；此外2018年闪存应用贡献了重要的增长，与2017年相比翻了一番，公司在2018年下半年推出的NAND闪存应用将继续为12英寸产能的成熟产品做出贡献。
中芯南方的目标是在今年下半年准备就绪。他表示，为满足客户的需求中芯国际持续扩大产能，将继续采用合资的模式来建设先进晶圆厂，上述提到的22亿美元支出将包含合资伙伴出资的部分。
赵海军补充说，预计中国地区业务将继续保持强势增长，同时公司也将为多元化客户提供服务。随着客户产品向5G转移，相信公司也能从未来的市场趋势中受益。
12nm同步开发中，性能提升10%
中芯国际联合首席执行官兼执行董事梁孟松就先进工艺部分进行了进一步说明。他表示，从消费电子产品到中端手机等多产品将逐渐减少，部分智能手机处理器和消费应用从20nm转移到14nm和12nm。除了14nm，中芯国际提供的第一代FinFET还包括12nm，相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。目前中芯国际正在就12nm与同一批14nm客户就行合作。
梁孟松表示，第一代FinFET工艺将更小巧、更全面，提升了公司的竞争力。第二代FinFET是"N+1"计划，正有序进行中，目标是提供更具性能、功耗、面积效益的方案。
除了FinFET晶圆代工服务外，中芯国际还致力于为客户提供包括掩模、IP制造，测试和封装在内的完整产品组合的整体解决方案。根据目前的时间表，公司计划在今年第二季度在上海新工厂投入设备，并计划在年底前建置小型生产线，以支持先进节点制造。
至于一些竞争对手已开始提供7nm工艺代工服务，赵海军表示，行业领导者的快速发展及每年转向更先进节点给行业带来了很大的推动和增长。目前中芯国际仍专注于14nm和12nm量产，在此之后将尽力满足客户的需求，向更先进节点前进。他表示，确实也看到一些客户想跳过7nm直接选择5nm工艺，但更多客户将长期使用7nm，中芯国际将尊重客户的选择。
另一方面，竞争对手也在大陆开展更多代工服务。赵海军表示，很高兴更多的玩家加入大陆产业，为半导体客户服务，这是一件好事。中芯国际从不把自己作为一个以低价取胜的公司，将更关注客户的需求，提供多样化的技术服务，也为本土和国际客户提供更好的服务方式。我们也很高兴看到更多的大陆半导体企业受益于中芯国际及其他代工厂商。
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