1. 微观
NAND闪存
NAND是非易失性存储技术，
NAND闪存由多个存放以位（bit）为单位的单元构成，这些位通过电荷被打开或关闭，
如何组织这些开关单元来储存在SSD上的数据，也决定了NAND闪存的命名，
比如单级单元（SLC）闪存在每个存储单元中包含一个位。
SLC MLC TCL
SLC
单个颗粒，只存储一位数据
速度快，但容量小，价格贵，寿命最长，读写错误几率小
MLC
单个颗粒，可存储两位数据
速度快，容量大，价格便宜，不如SLC寿命长，读写稳定
TCL
单个颗粒，可存储三位数据
速度慢，容量很大，价格便宜，寿命短。
2.宏观
norflash
Intel公司推出，
有寻址和数据总线，随机存取存储器
容量小，价格贵
nandflash
东芝推出
需要SoC提供控制电路
必须以块方式进行读写
接口不统一，各个厂家的nandflash不同
容量大，价格便宜
sd
nandflash + 主控IC
主控IC会负责坏块管理等，可节约SoC资源
统一接口
inand
相当于芯片化sd卡，
有独立的芯片用于坏块管理等，可节约SoC资源
自带缓存，速度快
统一接口，升级时驱动完全一样，也不需重新布板