https://news.mydrivers.com/1/641/641087.htm 中芯正在发力。。 今年秋天 14nm两场 明年底 7nm问世 后年 生产 比台积电 的差距越来越小了。 现在是逆周期 持续投入会有好处的。
上周末国内最大的晶圆代工厂中芯国际发表了Q2季度财报，当季营收7.91亿美元，环比增长18.2%，同比减少11.2%；毛利为1.51亿美元，环比增长23.8%，同比减少30.6%；公司拥有人应占利润为1853.9万美元，环比增长51.1%，同比减少64.1%。
在全球半导体市场进入熊市周期，而且中芯国际缺乏先进工艺的情况下，Q2季度取得环比大幅增长已属不易，而中芯国际未来最重要的任务除了改善盈利之外就是突破先进半导体制造工艺，目前已量产的28nm工艺相比台积电、三星要落伍三四代了，而且代工成本上也没优势。
在先进工艺上，中芯国际的策略就是28nm工艺不会再扩产了，但是会从28nm Bulk工艺升级到更有优势的28nm HKC+工艺，主要用于API、IoT、机顶盒、IPTV等产品中。
下一个重要节点是14nm及改进型工艺12nm，中芯国际表示14nm已经进入客户风险量产阶段，目前流片数量10多个，今年秋季会正式量产，年底贡献有意义的营收，不过大规模量产还要到2021年。
14nm之后还有改进型的12nm FinFET工艺，根据中芯国际之前介绍，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。
目前12nm工艺已经进入了客户导入阶段，进展顺利，预计年底会有多个芯片流片验证。
14/12nm工艺是中芯国际第一代FinFET工艺，第一阶段中其产能会从3K晶圆/月逐步提升到6K、9K、15K/月，超过15K/月之后产能就不少了。
14/12nm工艺会是国内最先进的工艺，但是与台积电三星相比依然要落后至少两代，中芯国际还会有N+1第二代FinFET工艺追赶先进水平。虽然中芯国际一直没有确认第二代FinFET工艺会是10nm还是直接进入7nm，但从之前订购ASML的EUV光刻机来看，中芯国际应该会跳过10nm节点，毕竟10nm节点本来也是低功耗方向的，而7nm节点才是长期存在的高性能低功耗节点，意义更加重大。
N+1 FinFET节点会是中芯国际的第二阶段，预计2020年底会有试验产能，不仅是有N+1，还会有更先进一代的N+2节点。
总之，如果进展顺利的话，那么2020年底国内可能会有7nm工艺风险试产，这时候依然是追赶台积电三星的水平，但差距会缩短到一代左右。
实际上，在拥有了14nm、7nm生产能力之后，国内的芯片公司就能大幅减少被卡脖子的可能了，特别是国产的龙芯、兆芯之类的处理器，这个时间节点就在2020年底了。