对于STM8来说，其内部的EEPROM确实是个不错的东西，而且STM8S103/105价格已经非常便宜了，当然也可以用STM8S003/005代替，而且价格更便宜，大概在，1.2/2.0元左右，比103/105的便宜1元左右，而且有网友说，其实这两个系列的晶圆完全是一样的(这个是秘密哦)，至于ST为什么要这样做，我们就不去猜了，大家应该都知道。
对于EEPROM的读写时间比较长，特别是写入的时间，都是在ms级的，想必大家都知道。但是对于单片机内置EEPROM来说，由于其内部特性，导致单片
机在操作EEPROM时，不能产生中断，当然这个问题一般来说是没有问题的。但是像有数码管扫描的产品来说，这个就是问题了，一般来说，3位数码管扫描周
期为18ms是没有问题的，但大于这个时间，就有闪烁的感觉了，所以，对于3位数码管来说，没有显示的时间大概为6ms，而我们从STM8芯片手册上得到
是典型的EEPROM操作时间为6.6ms，所以，显示3位数码管就比较危险了，如果是4位，或者更多，那就更麻烦了。
对于实验确实可以获取EEPROM的操作时间大概是2.5ms每字节，为此，如果在时间限制比较短的地方，我们可以在数码管点亮后的空闲时间去显示数
据，但每次只能是一字节数据，故要解决这个问题，最好建立个显示缓冲，每次在显示空闲时间去看缓冲中有无数据，如果有，我们就存储，直到存储完整为止。但
是我们还发现一个问题，如果用EEPROM的块操作，实际上，消耗的时间和用操作一字节是一样的。所以，我们也可以用每次操作一块的方式实现EEPROM
的操作，从而实现，大量数据的存储。
下面我们简单说说，如何实现块操作：
STM8的库函数中已经提供了块操作函数FLASH_ProgramBlock()，但是要进行块操作，还必须进行一系列的配置，否则，程序代码会死在这个函数里边的。
1. 修改stm8s_conf.h的注射，让#include "stm8s_flash.h"得以编译
2.修改stm8s.h的注射，让使Flash功能能够从RAM中运行
#if !defined (RAM_EXECUTION)
#define RAM_EXECUTION (1) // 块写入时，必须打开这里的注射
#endif /* RAM_EXECUTION */
3.修改完成后，将产生不少警告，消除的方法，暂时还没有找到，但不影响代码的运行。
/**************************************************************************************
* FunctionName : EEPWirteBlock()
* Description : 块写入
* EntryParameter : None
* ReturnValue : None
**************************************************************************************/
void EEPWirteBlock(u16 blockNum, u8 *pDat)
{
//u8 tmpBuf[FLASH_BLOCK_SIZE] = {0}; FLASH_EraseBlock(blockNum, FLASH_MEMTYPE_DATA);
while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_HVOFF) == RESET)
{
;
} FLASH_ProgramBlock(blockNum, FLASH_MEMTYPE_DATA, FLASH_PROGRAMMODE_FAST, pDat);
while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_HVOFF) == RESET)
{
;
}
}