本篇分别从主控的硬件和软件层面对穿戴产品功耗展开说明。
硬件层面：内部的硬件模块
- 处理器单元（穿戴产品常用的低功耗处理器，如ARM Cortex系列）
- 存取存储模块：SRAM、PSRAM等
- 闪存模块：norFlash等
- 显示模块：GPU、MIPI DSI/QSPI等
- 音频处理模块：codec（ADC，DAC）等
- 无线通信模块：BT、BLE、Wi-Fi等
- 系统控制模块：DMA、WDT、LPTimer等
- ... 再往下研究的，就是芯片的电源管理、时钟管理等等，这部分小弟就没过多的了解了。
从产品端的开发角度，我们首先要做的是确认芯片每个模块的待机/工作功耗能否和芯片原厂提供的数据对应上。因为主控的待机情况是产品最重要待机功耗，这也是最影响穿戴产品续航的参数，所以我们必须要先确认好。
以BT模块为例：原厂提供的datasheet中，BT待机电流为80uA@3.8V，那么我们会通过控制单一变量的方法，来确认BT模块的待机功耗，如果存在偏差的情况（如多出20uA，甚至更多），那么就要进一步的确认参数，比如是否进入了sniff mode，interval参数是否过小，发射功率是否偏大等等。当这些应用参数都对齐的情况下，还是存在误差时，我们就需要和芯片原厂做进一步确认了。
对于芯片各个硬件模块的功耗确认，个人建议是尽量使用简化测试固件，比如功耗测试仪能直接给芯片供电就不要中间再接多个 charger IC，能跑裸机就不要跑OS。因为这个环节，我们要确认的是芯片的硬件功耗，要最简化、最直观的确认这个功耗值。
软件层面：不同的休眠等级
作为穿戴产品的芯片，之所以要分成不同的休眠等级，个人认为最主要的还是功耗影响。如果抛开功耗影响，那么我们完全可以跑最高主频，性能拉满，但这么做就不符合穿戴产品的定义了，毕竟续航能力是消费者购买穿戴产品重要的衡量条件。
通常穿戴芯片会分成以下4个等级
- no sleep：非睡眠模式，外设总线、控制器的状态都处于活跃状态，主控情况区别基本只体现在不同的主频下的差异；
- light sleep：使能WFI（等待中断），由外部中断信号唤醒处理器，通常仅降低的是CPU的功耗，不对外设总线去做下电处理，是我们通常说的浅睡模式；
- deep sleep：在light sleep基础上，把相关的pmu、cmu切到休眠模式，相对light sleep，会有明显的功耗收益；
- power down sleep：基于deep sleep，再把不必要的存储模块、外设控制器再进一步下电处理；
需要说明的是休眠等级越高，对应待机功耗就能做得越低，但与此同时，退出休眠所需要的时长就越长（light sleep可能只需要唤醒CPU，而deep sleep 就需要把芯片起振、PMU、CMU等模块一一退出休眠，恢复所消耗的时长会增加很多），所以在产品开发过程中，不能一味将功耗压到最低。
功耗开发更应该是性能和续航之间的博弈，是 a）满足性能前提下来追求续航，还是 b）满足续航前提下来追求性能。功耗开发过程往往需要在a和b之间来回的调整，来取得产品层面的最优解。
以上是小弟对穿戴产品功耗内容——主控篇的个人总结了，下一篇小弟会从外设端来做另外一个角度的总结。