光刻机是谁发明的-LMLPHP

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光刻机(lithography)又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

光刻机是谁发明的

1822年法国人Nicephore niepce(尼埃普斯)发明了光刻机,起初是Nicephore niepce发现了一种能够刻在油纸上的印痕,当其出现在了玻璃片上后,经过一段时间的暴晒,透光的部分就会变得很硬,但是在不透光的部分可以用松香和植物油将其洗掉。

尽管光刻机发明的时间较早,不过在其发明之后,并没有在各行业领域之中被使用,直到第2次世界大战时,该技术应用于印刷电路板,所使用的材料和早期发明时使用的材料也已经有了极大的区别,在塑料板上通过铜线路制作,让电路板得以普及,短期之内就成为了众多电子设备领域中最为关键的材料之一。

如今,光刻机已经成为半导体生产制造的主要生产设备,也决定了整个半导体市场水平工艺的象征。

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光刻机制造需要哪些技术

光刻机的制造体系非常复杂,有两点至关重要,即精密零部件和组装技术。

1、精密零部件

一台光刻机的制造需要数万个精密零部件。通常来说,一台光刻机的制造需要大约八万个精密零件,而目前世界上最为先进的极紫外EUV光刻机所需要的制造零件更是高达十万余个。

一套完整的光刻机包括多个组成系统,主要包括曝光系统、自动对准系统、整机软件系统等。其中,曝光系统更是包含了照明系统和投影物镜。

在组成光科技的所有核心精密零件中,光学镜头、光学光源、双工作台又可以说是核心中的核心。

拥有高数值孔径的光学镜头是决定光刻机的分辨率和阈值误差能力。而分辨率和套值误差能力对于一台光刻机具有至关重要的重要性。而世界上最为先进的EUV极紫外光刻机唯一可以使用的镜头就是由蔡司公司生产的镜头。

光刻机的光学光源所包含的光源波长是决定光刻机工业能力的重要部分。需要特别注意的是,光刻机所需要的光源,必须具备体积小、功率高以及稳定的几个特点。

比如说极紫外EUV光刻机所使用的光源波长是仅仅只有13.5纳米的极紫外光,其所使用的光学系统极为复杂。

光刻机中所需要的工作台系能够影响光刻机运行过程中的精度和产效,含有的综合技术难度非常高。因为这种工作台中具有承载硅片来能够完成光刻机运行过程中的一系列超精密的运动系统,其中包括上下片、对准、景圆面型测量、曝光等等。

2、组装技术

一台光刻机不仅需要精密的零件,这些零件的组装技术也至关重要。

当所有零件都准备就绪之后,接下来的组装过程将直接影响一个光刻机的运行效能。现在光刻机主要生产商荷兰ASML公司(中文译名:阿斯麦尔)的生产过程从本质上来说更像是一个零件组装公司,因为ASML公司生产光刻机所需要的将近90%的部件是从世界各地采购,其在世界上拥有超过五千家供应商。

换句话说,ASML公司之所以能够在光刻机制造技术上打败尼康以及佳能等其他光刻机生产对手,从而在全球光刻机制造和销售市场上占据领先地位,一个重要原因就是强大的组装技术。

一家强大的光刻机组装企业需要具有各种娴熟的技术工人和各种组装方面的知识产权,从而能够清楚明白各种精密元件如何组装,进而通过他们娴熟的操作和系统的知识来快速和精确的制造一台光刻机。

我国目前在光刻机的技术方面,经过近二十年的关键技术攻克,已经取得长足发展。

从光刻机双工作台来说,中国华卓精科与清华团队生产联合研制的双工作台已经打破ASML的技术垄断,至于光刻机的同步光源设备和光学镜头的技术也在哈工大等全国知名科研机构的潜心研究中获得了迅猛发展。

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