PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）即P型金属氧化物半导体，是一种使用P型掺杂（空穴作为载流子）的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。在PMOS晶体管中，栅极（Gate）电压低于源极（Source）和漏极（Drain）电压时，晶体管导通，形成导电通道。相反，当栅极电压高于源极和漏极电压时，晶体管关闭，不导电。
与NMOS（N型金属氧化物半导体）不同，PMOS晶体管的源极和漏极通常连接到电源的负极（或称为地），而栅极连接到控制信号上。这种特性使得PMOS在逻辑电路中作为“上拉”开关使用，即在高电平下开启，在低电平下关闭。
在CMOS（互补金属氧化物半导体）技术中，PMOS和NMOS被组合使用以形成各种逻辑门和电路。CMOS技术因其低功耗（在静态情况下几乎不消耗功率）和高集成度而广泛应用于现代集成电路中，如微处理器、内存和许多其他电子设备中。
值得注意的是，虽然PMOS和NMOS在功能和结构上有差异，但它们在CMOS电路中通常是成对出现的，以实现更复杂的逻辑功能和更高的性能。