从前面的命令真值表看到，auto refresh自动刷新的表示symbol为CBR，这什么意思？这个缩写和刷新貌似没什么关系？这一节我们来一探究竟。
DRAM要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，刷新操作与预充电中重写的操作一样，都是用S-AMP先读再写。但为什么有预充电操作还要进行刷新呢？因为预充电是对一个或所有L-Bank中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。但与所有L-Bank预充电不同的是，这里的行是指所有L-Bank中地址相同的行，而预充电中各L-Bank中的工作行地址并不是一定是相同的。
刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作，大家还记得之前文章提到的SDRAM芯片框图吧，芯片有一个refresh counter来进行刷新时的bank地址和行地址计数，这里再贴一下框图，如下图红色框：
对于AR，SDRAM通过内部行地址生成器（也称刷新计数器）来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。在发出AUTO REFRESH命令之前，必须对所有激活的存储体进行预充电。那么要隔多长时间重复一次刷新呢？目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（工业和商业级是64ms，车规级是16ms），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms，这个64ms称为刷新周期tREF。这样刷新速度就是：64ms/行数量。刷新命令一次对一行有效，发送刷新命令的间隔可以是用整个刷新周期平均分配，即4096 行时为15.625μs（64ms/4096），8192行时就为7.8125μs（64ms/8192）；也可以每64ms按颗粒支持的间隔连续发出8192个自动刷新命令，此间隔称为自动刷新周期tRFC，这个时间也可以理解为刷新一行需要的最短时间，大约是9个时钟周期（PC133标准）。在这9个时钟期间内，所有针对该行工作指令只能等待而无法执行。64ms 之后则再次对同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新。如下图：
由于刷新涉及到所有 L-Bank，因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为9个时钟周期，之后就可进入正常的工作状态，我们来计算一下，刷新一行需要66ns，总共8192行，全部刷新完需要66ns * 8192=0.540672ms，那在64ms的刷新周期中，还有63.459328ms可以用来做其他操作。显然，刷新操作肯定会对 SDRAM 的性能造成影响，但这没办法，这是DRAM相对于SRAM（静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。如下是自动刷新的操作图：
SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是 STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入SR模式，此时不再需要外部系统时钟就可以进行刷新动作。只有在存储阵列处于idle状态时才能进入自刷新，也就是说进自刷新前需要先预充电。在SR期间，CKE需保持为低，此时所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令）。若要退出自刷新，首先需要在CKE拉高之前恢复稳定的外部时钟CLK，然后拉高CKE，再发出至少两个时钟周期的NOP命令，让正在进行的内部刷新操作继续完成，这段时间称为退出自刷新到下一次行激活的时间间隔tXSR。注意，退出自刷新后需要继续按规定时间周期发送自动刷新命令以维持DRAM存储数据。进自刷新与退出自刷新的操作图如下：