NTUD3174NZT5G规格参数介绍
规格参数
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：220mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：12.5pF @ 15V
功率 - 最大值：125mW（Ta）
型号：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-963
供应商器件封装：SOT-963
描述：MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 ：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）：1（无限）
详细描述：2-个-N-沟道（双）-Mosfet-阵列-20V-220mA（Ta）-125mW（Ta）-表面贴装-SOT-963