memory - PCOMMIT指令有什么作用？

在英特尔ISA扩展手册中，pcommit的描述有点晦涩:



它命名了一些概念，例如持久性内存范围，被存储器接受的存储，成为持久性和非 volatile 设备的存储1。

确切的背景是什么？

1这不能是经典的NV设备，例如NOR Flash ROM或NVMe设备(读取:新的SSD)，因为它们位于可变数量的网桥(包括减法解码桥)后面，而CPU无法控制这些网桥。

最佳答案

首先pcommit has been deprecated before even shipping to an actual CPU。
这个答案大部分是基于上面链接的内容。

英特尔与美光一起开发了一种新的Non-volatile memory (NVM)形式(称为3D XPoint)(从其内部结构开始)。
作为磁盘缓存的actual implementation已经面世了，不久前英特尔开始为更广泛地采用其NVM技术做准备。

尤其是Intel认为某些DIMM可能包含使用3D XPoint技术制成的一部分，因此构成了非 volatile 设备。

这将使一个或多个内存范围具有持久性，这些持久性范围的集合称为持久性域。
持久域的主要特征之一是它具有断电安全功能。

制作商店时，它会经历:

存储缓冲区。
商店在本地已完成/可见，但不在全局范围内可见。
可以使用不同的指令(例如sfence)清除存储缓冲区。

缓存层次结构。
该存储是全局可见的(缓存一致性协议(protocol)确保了这一点)。
可以使用不同的指令(例如clflush，clflushopt，clwb等)刷新缓存。

内存 Controller 写入待处理队列(WPQ)。
存储已接受到内存，但尚未写入DIMM。
可以通过内存 Controller 的特定PCIe配置寄存器或pcommit刷新WPQ。

内存。
存储已提交/写入存储器。

存储上方的数据路径的哪个点位于持久域中，因此在电源故障的情况下不会丢失？
某些内存 Controller 具有称为“异步DRAM刷新”的功能，该功能可确保即使在掉电的情况下，也可以正确冲洗WPQ(例如，由于使用电池)。
对于这些平台，持久域始于WPQ。

但是，英特尔担心并非所有平台都具有ADR功能，因此创建了pcommit指令作为确保存储进入持久性域的一种方式(pcommit在用户模式下是可执行的)。

这就是要使商店持久化的方式

mov [X], rax     ;Store

;Here the store has started moving to the store buffer

clwb [X]

;Here the store has moved to the cache (CLWB is ordered with previous stores)
;and then starting moving to the memory controller WPQ
;(the line containing X has been written back)

sfence           ;Wait for CLWB to become globally visible

;Here the store is in the WPQ

pcommit

;The store is being committed

sfence          ;Wait for pcommit to become globally visible

;The store is committed

事实证明，每个计划支持新的Intel NVM技术的平台也都计划支持ADR，因此，英特尔不赞成使用pcommit，而希望使用更简单的编程模型:

mov [X], rax
clwb [X]
sfence

;Here the store is in the WPQ and that's enough

关于memory - PCOMMIT指令有什么作用？，我们在Stack Overflow上找到一个类似的问题：https://stackoverflow.com/questions/41878147/