我在嵌入式产品的dts文件中找到了这个片段。
当我们有NAND闪存时，为什么要有NOR闪存？
下面的localbus节点中提到的LCS0、LCS1是什么意思？
localbus@a8405000 {
#address-cells = <2>;
#size-cells = <1>;
compatible = "fsl,mpc8313-elbc", "fsl,elbc", "simple-bus";
reg = <0xa8405000 0x1000>;
interrupts = <77 0x8>;
interrupt-parent = <&ipic>;
// CS0 and CS1 are swapped when
// booting from nand, but the
// addresses are the same.
// ranges = <0x0 0x0 0xfe000000 0x01000000 /* LCS0: NOR BOOT */
ranges = <0x0 0x0 0xfe000000 0x02000000 /* LCS0: NOR BOOT */
0x1 0x0 0xa8000000 0x00040000 /* LCS1: NAND CONTROLLER */
// 0x2 0x0 0xa0000000 0x04000000 /* LCS2: FGPA */
0x2 0x0 0xa0000000 0x04000000>; /* LCS2: FGPA */
// 0x3 0x0 0xff000000 0x01000000>; /* LCS3: NOR RESERVE */
flash@0,0 {
#address-cells = <1>;
#size-cells = <1>;
compatible = "cfi-flash";
// reg = <0x0 0x0 0x1000000>; /* 16MB */
reg = <0x0 0x0 0x2000000>; /* 32MB */
bank-width = <2>;
device-width = <1>;
u-boot@0 {
reg = <0x0 0x80000>;
};
xxxx@80000 {
reg = <0x080000 0x1000000>;
};
log@1080000 {
reg = <0x1080000 0x2c0000>;
};
inventry@1340000 {
reg = <0x1340000 0x20000>;
};
xxxxx@1360000 {
reg = <0x1360000 0x20000>;
};
xxxxx@1380000 {
reg = <0x1380000 0x20000>;
};
xxxxx@13a0000 {
reg = <0x13a0000 0x20000>;
};
reserve-nor1@13c0000 {
reg = <0x13c0000 0xc40000>;
};
dummy1@2000000 {
reg = <0x2000000 0x0>;
};
dummy2@2000000 {
reg = <0x2000000 0x0>;
};
};
nand@1,0 {
#address-cells = <1>;
#size-cells = <1>;
compatible = "fsl,mpc8313-fcm-nand",
"fsl,elbc-fcm-nand";
reg = <0x1 0x0 0x40000>; /* NAND CONTROLLER 256KB */
dtb-0@0 {
reg = <0x0 0x20000>;
};
kernel-0@20000 {
reg = <0x20000 0x400000>;
};
rootfs-0@420000 {
reg = <0x420000 0x099e0000>;
};
dtb-1@9e00000 {
reg = <0x09e00000 0x20000>;
};
kernel-1@9e20000 {
reg = <0x09e20000 0x400000>;
};
rootfs-1@a220000 {
reg = <0x0a220000 0x099e0000>;
};
internal@13c00000 {
reg = <0x13c00000 0x6400000>;
};
xxxx-log@1a000000 {
reg = <0x1a000000 0x6000000>;
};
};
};
我完全不明白下面这段话的意思
// CS0 and CS1 are swapped when
// booting from nand, but the
// addresses are the same.
// ranges = <0x0 0x0 0xfe000000 0x01000000 /* LCS0: NOR BOOT */
ranges = <0x0 0x0 0xfe000000 0x02000000 /* LCS0: NOR BOOT */
0x1 0x0 0xa8000000 0x00040000 /* LCS1: NAND CONTROLLER */
// 0x2 0x0 0xa0000000 0x04000000 /* LCS2: FGPA */
0x2 0x0 0xa0000000 0x04000000>; /* LCS2: FGPA */
// 0x3 0x0 0xff000000 0x01000000>; /* LCS3: NOR RESERVE */
最佳答案
与NAND flash相比，NOR flash在擦除和写入操作上速度较慢。这意味着NAND闪存具有更快的擦除和写入时间。More over NAND具有较小的擦除单元。所以需要更少的擦除。NOR flash读取数据的速度比NAND稍快。
也不提供完整的地址和数据总线来随机访问其任何内存位置（可寻址到每个字节）。这使得它成为一个旧的ROM BIOS/固件芯片的合适替代品，这些芯片很少需要更新。它的持久性是10000到1000000个擦除周期。也不适合在嵌入式系统中存储代码。此外，对XiP(eXecute in Place)的支持使得从加载初始引导加载程序（甚至在初始化DDR之前）成为一个非常有吸引力的选择。
NAND闪存占用每个单元较小的芯片面积。与NOR flash相比，该制造商NAND具有更高的存储密度和更低的每比特成本。它的耐用性也是NOR flash的10倍。NAND更适合作为大文件（包括视频和音频）的存储介质。USB拇指驱动器、SD卡和MMC卡为NAND类型。
NAND flash不提供随机访问外部地址总线，因此数据必须按块读取（也称为页访问），其中每个块包含数百到数千位，类似于一种顺序数据访问。这是NAND flash不适合取代ROM的主要原因之一，因为大多数微处理器和微控制器都需要字节级的随机访问。
CheckoutTable 1 in this document说明了每种方法的比较优点。