NAND 闪存：目前闪存制造厂主要分为三星与东芝、海力士联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营
IM Flash Technologies（IMFT）：由Intel和Micron合资兴办的半导体制造公司，主要生产NAND型闪存芯片产品。
ONFI（open NAND FLASH Interface）：
ONFI 1.0制定于2006年12月，制定闪存的物理接口、封装、工作机制、控制指令、寄存器等规范，增加对ECC的支持，传输带宽从传统的Legacy接口的40MB/s提升到50MB/s。
ONFI 2.0标准诞生于2008年2月，133MB/s。
ONFI 2.1，带宽提升到166MB/s和200MB/s（工作模式不同速度不同）
ONFI 3.0 接口带宽提升到400MB/s
ToggleDDR：
Toggle DDR 1.0，2010年6月，Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作，信号的上升与下降沿都可以进行资料的传输，能使传输速度翻倍，接口带宽为133MB/s，而且没有内置同步时钟发生器（即NAND还是异步设计），因此其功耗会比同步NAND更低。
Toggle DDR以DQS为时钟信号，驱动输入
Toggle DDR 2.0，2010年8月，传输带宽上升到400MB/s。
闪存的同步与异步
ONFI 2.0标准在NAND中加入了同步时钟发生器，主控可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号，使闪存工作在同步模式 ，此时闪存的数据传输速率会大幅度提升，异步模式相当于ONFI 1.0，闪存的带宽为50MB/s，而同步模式下闪存至少也符合ONFI 2.0，闪存带宽可达到133MB/s以上。
下面是镁光NAND在异步与同步模式下的部分针脚定义：
开机时SSD是运行在异步模式的，只有当主控发送同步指令给闪存后，才激活闪存上的源同步时钟，然后针脚定义发生改变，激活DQS信号， 让其工作在同步模式，并将异步模式下的WE#信号变为CLK信号，RE#变为W/R信号，同步模式下DQS信号的上升沿与下降沿都能控制信号的传输，使传输速度翻倍。
企业级SSD：常用 slc类型的flash