具有开漏(OD)输出的器件是指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（T1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc'决定。Vcc'可以大于输入高电平电压VCC（up－translate）也可以低于输入高电平电压VCC（down－translate）。
开漏器件对于各种电压节点间的电平转换非常有用。但是，这种电平转换的方法存在一些缺点。例如，当输出电平为低时，N沟道三极管是导通的，这样在Vcc'和GND之间有一个持续的电流流过上拉电阻Rpullup和三极管T1。这会影响整个系统的功耗。采用较 大值的上拉电阻可以减小电流。但是，但是大的阻值会使输出信号的上升时间变慢。开漏输出器件的优点如下：
●可以用于各种电压节点的Up-translate和down－translate转换
●可以将多个开漏输出的Pin脚，连接到一条线上,形成“与逻辑”关系,任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I 2C，SMBus等汇流排判断汇流排占用状态的原理。
● 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。
具有推挽(push-pull) 输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET ，当Q1 导通、Q2 截止时输出高电平；而当Q1 截止导通、Q2 导通时输出低电平；即可以吸电流，也可以贯电流；
但是缺点是，一条汇流排上只能有一个push-pull 输出的器件；
开漏（open drain）和开集（open collector）
在电路设计时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念。
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示：
组成开漏形式的电路有以下几个特点：
1.利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。
2.可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图1，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I 2C，SMBus等汇流排判断汇流排占用状态的原理。
3.可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4.开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。
5.标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其他的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。
应用中需注意：
1.开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。如图3。
2.上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。